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三星稱存儲(chǔ)芯片將成為消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力

　　三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor)的技術(shù)銷售高級(jí)副總裁Jon Kang表示，存儲(chǔ)芯片正在趕上微處理器，成為推動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)動(dòng)力。Jon Kang在日前召開的Denali MemCon會(huì)議上表示，“我們不再處于CPU推動(dòng)的產(chǎn)業(yè)之中。存儲(chǔ)是移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品革命的關(guān)鍵”。

　　Kang表示，存儲(chǔ)密度顯著增長，特別是閃存的存儲(chǔ)密度，已使數(shù)字媒體器件的爆炸性增長成為可能，從而推動(dòng)目前的電子增長。他說，閃存的位密度每年翻一番，而且可能繼續(xù)保持這種趨勢(shì)。這使得即使微小的器件也能達(dá)到幾年前硬盤才能達(dá)到的位密度。Kang預(yù)測(cè)：“到2007年，僅手機(jī)一項(xiàng)產(chǎn)品消費(fèi)的存儲(chǔ)位數(shù)就可能相當(dāng)于臺(tái)式電腦市場(chǎng)。”

　　Kang認(rèn)為，內(nèi)存市場(chǎng)不僅會(huì)出現(xiàn)增長，而且正在擺脫商品類大宗存儲(chǔ)元件的形象。他介紹了為嵌入式應(yīng)用開發(fā)的定制存儲(chǔ)芯片，如三星OneNAND結(jié)合了NAND閃存和SRAM，能夠滿足手機(jī)和媒體播放器的需求。Kang表示，出于技術(shù)與商業(yè)原因，多堆疊封裝將迅速主導(dǎo)手機(jī)市場(chǎng)，其中一個(gè)堆疊包括基帶系統(tǒng)SoC，另一個(gè)包括存儲(chǔ)堆疊。

　　Kang還表示，CMOS NAND閃存將繼續(xù)發(fā)展，預(yù)計(jì)2007年將推出采用50納米技術(shù)的16-Gbit芯片。在此之后，也許新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)占據(jù)市場(chǎng)。但Kang警告說，迄今為止尚未有一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)顯示出能夠在密度和成本方面超過閃存的能力，這種情況至少要保持到2008年。

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