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全球最薄透明磁性半導體問世

2005/12/31 9:48:29   電源在線網
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  日本物質材料研究機構(NIMS)現已開發出一種新型薄膜狀透明磁性半導體(圖1),如果采用多層結構,在紫外線到可見光區域具有很強的磁光效應(Magnetooptic Effect)。準備將其應用于使用波長不足500nm短波長光的大容量光通信和光信息處理元件。

  原料為光觸媒TiO2 
  
  NIMS此次開發的半導體是通過在Ti1-δO2(即將業界知名的光觸媒材料TiO2做成薄膜狀)中添加Co和Fe磁性元素而制成的Ti0.8Co0.2O2和Ti0.6Fe0.4O2(以下以Ti0.8Co0.2O2為代表)。厚度約為1nm,“作為透明磁性材料,在迄今開發的材料中最薄”(NIMS物理研究所軟化學研究小組主任研究員長田實)。將這種材料重疊10層后,結果對紅外線至可視光(波長為280~380nm)區域的光線表現了很強的法拉第效應(Faraday Effect)及克爾效應(Kerr Effect)。 
  
  法拉第效應和克爾效應均為磁性體和光相互作用而表現出的一種磁光效應。前者是指通過磁性體的光線偏振面發生旋轉的現象,現已應用于光纖通信使用的光隔離器(Optical Isolator)等領域。而克爾效應則是磁性體反射的光偏振面發生旋轉的現象,現已應用于MO光盤的數據讀取等用途。
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