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英特爾30億在美建晶圓廠

　　據新華社洛杉磯7月25日電 世界最大的芯片生產商美國英特爾公司25日宣布投資30億美元在美南部新建一座300ｍｍ晶圓廠，以進一步提高芯片產量和降低產品成本。
　　
　　英特爾公司在亞利桑那州新建的這座晶圓廠計劃于2007年下半年投產，采用45納米的工藝生產芯片。
　　
　　英特爾目前在愛爾蘭和美國俄勒岡、新墨西哥州有4家300ｍｍ晶圓廠，第5家廠將于今年下半年在亞利桑那州投產。
　　
　　英特爾公司說，其4家300ｍｍ晶圓廠的產量相當于8個200ｍｍ晶圓廠的產量。采用300ｍｍ晶圓生產芯片，可在切割時產生較少的邊角廢料，提高晶圓的利用率，并可使每枚芯片的平均耗電和耗水減少40％，從而明顯降低芯片的生產成本。
　　
　　晶圓由二氧化硅提煉制成，是生產信息產品、信息家電等各種半導體產品所需的材料。大尺寸的晶圓可安排的集成電路更多，但要求材料技術和生產技術則更高。

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