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國(guó)際整流器公司推出新款20V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組

　　國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出新款20V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組——IRF6610和IRF6636。IR表示，這款小型罐式DirectFET MOSFET對(duì)性能相當(dāng)于一對(duì)SO-8 MOSFET，但體積卻減少了40%，最適用于對(duì)尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負(fù)載點(diǎn)(Point-of-load，簡(jiǎn)稱POL)設(shè)計(jì)。

　　IR臺(tái)灣分公司總經(jīng)理朱文義表示：“在12V計(jì)算機(jī)運(yùn)算系統(tǒng)中，IRF6610和IRF6636芯片組最適用于可支持5V至1V以下輸出電壓的高密度15A POL轉(zhuǎn)換器。以一個(gè)500kHz POL轉(zhuǎn)換器為例，若采用這款芯片組，便能在1.5V下提供15A輸出電流，實(shí)現(xiàn)大于88%的效率�！�

　　IRF6610的閘電荷(gate charge)低至10nC，可將開(kāi)關(guān)損耗減至最低，實(shí)現(xiàn)最佳控制場(chǎng)效應(yīng)管(FET)功能。IRF6636則是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其導(dǎo)通電阻為4.5mΩ，閘電荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成為專(zhuān)門(mén)針對(duì)15A應(yīng)用的同步場(chǎng)效應(yīng)管；又可配合IRF6691組成控制場(chǎng)效應(yīng)管，適用于每相位35A的多相位應(yīng)用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模塊等應(yīng)用中提供更高密度，取代多達(dá)4個(gè)熱強(qiáng)化型SO-8 MOSFET器件。

　　該公司表示，IR的專(zhuān)利DirectFET MOSFET封裝包含了一系列新的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)，這是目前標(biāo)準(zhǔn)的塑料分立封裝所不具備的。其中，金屬罐狀結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻，將驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)。

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