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安森美推出十一款新型低飽和電壓雙極結(jié)晶體管(圖)

——新產(chǎn)品采用SOT-23、SOT-563、 WDFN和ChipFET 封裝，擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)元件系列

　　2006年10月30日，全球領(lǐng)先的電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體宣布，進(jìn)一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結(jié)晶體管（BJT）產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。這些備有多種封裝選擇的新器件采用先進(jìn)硅技術(shù)，與傳統(tǒng)BJT或者平板MOSFET相比，其電源效率更佳，電池壽命更長。這些新器件是各種便攜式應(yīng)用的理想選擇。

　　安森美半導(dǎo)體分立產(chǎn)品部總經(jīng)理Mamoon Rashid說：“安森美半導(dǎo)體將持續(xù)拓展便攜式產(chǎn)品系列，從而使設(shè)計更靈活，并實現(xiàn)最佳的節(jié)能。我們的BJT在同類產(chǎn)品中脫穎而出，在業(yè)內(nèi)是電源功耗最少且熱性能最佳。我們已將該系列擴(kuò)展到20個以上的產(chǎn)品，在目前市場上高性能BJT方面為設(shè)計工程師提供最多的選擇。

　　新型低Vce(sat)表面貼裝器件是特別針對低電壓，高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計而成，其中電源效率控制至關(guān)重要。其特征為超低Vce(sat)—1安培下45毫伏（mV） – 和高電流增益。它們具有>8,000伏（V）的出色靜電放電 （ESD）耐受性，可以在發(fā)生意外浪涌和損害的情況下進(jìn)行自我保護(hù)。其電性能優(yōu)越和溫度系數(shù)低，提高了電源效率，并最終提高了電池電力保持能力。

　　SOT-23是業(yè)內(nèi)最受歡迎的封裝之一，且價格最低。SOT-563是最小的新型BJT封裝(1.6 mm x　1.6 mm x 1.0 mm)。 兩種WDFN封裝為2.0 mm x 2.0 mm，并且高度低，為0.7 mm，是目前市場上便攜式應(yīng)用中的熱效率最好的。3.0 mm x 2.0 mm x 1.0 mm的ChipFET的整體性能最佳。

　　這些器件理想應(yīng)用于電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振動馬達(dá)、LED背光、磁盤驅(qū)動控制、照相機(jī)閃光燈以及低降壓/升壓轉(zhuǎn)換器。


封裝及定價
　　完整的低Vce(sat) BJT系列備有多種行業(yè)領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SOT-563、WDFN、ChipFET、SC-88、SC-74和TSOP-6。每10,000片的批量單價由0.18到0.40美元不等。

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