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日本Shimei半導(dǎo)體開發(fā)出硅基藍(lán)光LED(圖)

　　日本京都的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Shimei半導(dǎo)體，在硅底板上開發(fā)出了GaN類發(fā)光二極管（LED）芯片（該公司W(wǎng)eb網(wǎng)站）。其中，藍(lán)色LED的輸出功率為最大10mW，與普及型藍(lán)色LED芯片的功率幾乎相同，而成本卻比在藍(lán)寶石底板上制作的藍(lán)色LED芯片少一半。據(jù)介紹，之所以能夠降低制造成本，是因?yàn)榕c藍(lán)寶石底板相比，硅底板的價(jià)格僅為約1/10，另外硅底板比藍(lán)寶石底板柔軟，更易于加工。新產(chǎn)品的發(fā)光波長為450nm。芯片尺寸為0.3mm見方。20mA驅(qū)動時的光度為1.5～2cd。除了藍(lán)色LED之外，紫明半導(dǎo)體還在硅底板上制作出了綠色LED。

　　通常，在硅底板上生成GaN膜時，由于GaN與硅的熱膨脹率以及晶格常數(shù)差異較大，因此容易產(chǎn)生龜裂等缺陷。此次，通過在硅底板上交互堆疊多層AlInGaN與AlInGaN以外的材料作為緩沖層來抑制缺陷的發(fā)生。使用同樣的手法，日本三墾電氣（Sanken Electric）與名古屋工業(yè)大學(xué)正在共同開發(fā)在硅底板上制作的GaN類LED。三墾電氣通過在硅底板上交互堆疊多層AlN和GaN來作為緩沖層。　



　　由于硅比藍(lán)寶石更容易吸收光線，所以在此次的藍(lán)色LED緩沖層上設(shè)置了反射結(jié)構(gòu)。與藍(lán)寶石相比，硅具有熱傳導(dǎo)性高的優(yōu)點(diǎn)，在硅底板上制作的GaN類LED的散熱特性會得到提高。與絕緣的藍(lán)寶石不同，由于硅能夠?qū)щ姡�因此還具有可將n型電極安裝在LED芯片最下部的優(yōu)點(diǎn)。通常，用藍(lán)寶石底板制成的LED，由于藍(lán)寶石為絕緣體，因此必須將LED的上部削掉一部分以安裝n型電極。而采用硅底板，則可取消切削工序，因此預(yù)計(jì)成品率將得以提高。另外據(jù)介紹，由于硅的硬度比藍(lán)寶石以及SiC低，因此容易切割，所以也便于提高成品率。

　　Shimei半導(dǎo)體計(jì)劃從2007年4月開始樣品供貨，目前正在進(jìn)行月產(chǎn)300萬枚芯片的準(zhǔn)備工作。除了以裸芯片（Bare Chip）方式銷售之外，Shimei半導(dǎo)體還考慮晶圓供貨.

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編輯：Sepnova
  來源：照明工程師社區(qū)

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