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意法半導體新推極低電阻功率MOSFET STD11NM60N(圖)

　　意法半導體(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的第一款產品STD11NM60N。 該產品通態電阻極低，動態特性和雪崩特性優越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。STD11NM60N特別適合照明應用產品，例如，大功率因數電子鎮流器和高強度放電燈(HID)電子鎮流器。

　　商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰器件優化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰半導體器件技術極限的實例，該產品采用ST自主開發的第二代MDmesh技術，最大通態電阻RDS(ON)僅為450 mΩ，該器件的電阻值比上一代MDmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。

　　除通過最小化電阻值來大幅度降低通態損耗外，這個600V產品的主要特性還包括一個節能的驅動電路，該電路使MOSFET能夠在較低的VGS(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2V)沒有變化，但是驅動該器件所需的VGS電壓范圍降低了，從而優化了驅動電路的性能，保證了器件具有優良的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。

　　STD11NM60N的主要特性包括一個優異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫度保證在正常的工作溫度范圍內。因為傳導損耗和功耗都很低，該器件還有助于客戶降低散熱器的尺寸，從而大大節省了電路板的空間。

　　STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封裝，現已量產，訂購10,000件時單價為0.90美元。

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編輯：Sepnova
  來源：國際電子商情

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