您的位置：電源在線首頁>>行業(yè)資訊>>新品速遞>>飛兆新推出最佳FOM值和熱阻的功率開關FDMC2610正文

飛兆新推出最佳FOM值和熱阻的功率開關FDMC2610

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開關FDMC2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡設備中的隔離式DC/DC轉換器的初級端開關，可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。

　　與市場上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比，飛兆半導體的200V器件FDMC2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nC對比 4nC)和最低的導通阻抗(200mΩ對比240mΩ)。這些特性使該器件的品質系數(shù)(FOM)降低了27%，并且在DC/DC轉換器應用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關性能。該款200V器件具有同類封裝器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的熱阻(Theta JC)，在嚴苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。

　　飛兆半導體的UltraFET器件除了能提供比市場上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開關性能外，僅占用較DC/DC轉換器設計常用的SO-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小MOSFET的占位面積及增強封裝熱容量，以便設計出更小型，更高功率密度的DC/DC轉換器。

　　飛兆半導體還推出了一款同樣采用MLP 3x3封裝的150V P溝道平面型UltraFET器件，與這3種N溝道器件相輔相成。這個器件針對有源箝位拓樸中同時需要N溝道和P溝道MOSFET的應用而開發(fā)。為設計人員提供了完整的解決方案，這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。

   免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
編輯：Sepnova

關于該條新聞資訊信息已有0條留言，我有如下留言：

請您注意：
·遵守中華人民共和國的各項有關法律法規(guī)
·承擔一切因您的行為而導致的法律責任
·本網(wǎng)留言板管理人員有權刪除其管轄的留言內容
·您在本網(wǎng)的留言內容，本網(wǎng)有權在網(wǎng)站內轉載或引用
·參與本留言即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款

驗證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費注冊會員