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飛兆新推出最佳FOM值和熱阻的功率開關FDMC2610

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開關FDMC2610，該產品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網絡設備中的隔離式DC/DC轉換器的初級端開關，可提高系統效率和節省線路板空間。

　　與市場上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比，飛兆半導體的200V器件FDMC2610具有業界最低的米勒電荷 (3.6nC對比 4nC)和最低的導通阻抗(200mΩ對比240mΩ)。這些特性使該器件的品質系數(FOM)降低了27%，并且在DC/DC轉換器應用中實現出色的熱性能和開關性能。該款200V器件具有同類封裝器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的熱阻(Theta JC)，在嚴苛的環境中也能保證可靠的散熱。

　　飛兆半導體的UltraFET器件除了能提供比市場上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開關性能外，僅占用較DC/DC轉換器設計常用的SO-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小MOSFET的占位面積及增強封裝熱容量，以便設計出更小型，更高功率密度的DC/DC轉換器。

　　飛兆半導體還推出了一款同樣采用MLP 3x3封裝的150V P溝道平面型UltraFET器件，與這3種N溝道器件相輔相成。這個器件針對有源箝位拓樸中同時需要N溝道和P溝道MOSFET的應用而開發。為設計人員提供了完整的解決方案，這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

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編輯：Sepnova

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