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三菱GaN底板助力，新型非極性面LED及半導(dǎo)體激光器閃亮登場(chǎng)

        美國加州大學(xué)圣巴巴拉分校（UCSB）與三菱化學(xué)的研究小組在日前于美國拉斯維加斯舉辦的氮化物半導(dǎo)體國際學(xué)會(huì)“ICNS-7”上，發(fā)表了利用GaN結(jié)晶非極性面的LED和半導(dǎo)體激光器。非極性LED和半導(dǎo)體激光器均使用了三菱化學(xué)的m面GaN底板。  
        UCSB與三菱化學(xué)的研究小組發(fā)表了利用非極性面中的m面的藍(lán)色LED。如果將阱層厚8nm、勢(shì)壘層厚18nm的量子阱的發(fā)光層進(jìn)行6次層疊（即形成6層），20mA驅(qū)動(dòng)時(shí)，光輸出功率為23.7mW，外部量子效率為38.9％，發(fā)光波長為407nm。如果將阱層厚16nm、勢(shì)壘層厚18nm的量子阱的發(fā)光層進(jìn)行6次層疊（即形成6層），20mA驅(qū)動(dòng)時(shí)，光輸出功率為28mW，外部量子效率為45.4％，發(fā)光波長為402nm。驅(qū)動(dòng)電流增至200mA時(shí)，光輸出功率為250mW，外部量子效率為41％。驅(qū)動(dòng)電流為占空比為1％的脈沖電流。  
        UCSB與三菱化學(xué)的研究小組還發(fā)表了無需基于AlGaN的包覆層的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器。一般來說，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器要輕松鎖住活性層發(fā)出的光，需要使用AlGaN包覆層。由于此次省去了AlGaN包覆層，可抑制激光器元件產(chǎn)生裂縫，有望提高激光器元件的可靠性。  
        UCSB等研究小組試制了共振器長度等不同的多個(gè)型號(hào)。比如共振器長600μm、寬1.9μm的試制芯片，連續(xù)振蕩時(shí)的閾值電流為77mA，閾值電流密度為6.8kA/cm2，閾值電壓為5.6V。驅(qū)動(dòng)電流為325mA左右時(shí)可連續(xù)振蕩發(fā)射25mW的激光。  
        此外，UCSB等還公布了其最新成果：將脈沖振蕩時(shí)的閾值電流密度降到了2.3kA/cm2，以及將連續(xù)振蕩時(shí)的閾值電流密度降到了4.0kA/cm2。 

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編輯：shadowhao
  來源：電子工程專輯

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