飛兆推出具出色熱性能和電氣性能的MicroFET功率開關(guān)
較之于其它解決方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的熱阻
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出MicroFET功率開關(guān)產(chǎn)品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，適用于充電、異步DC/DC和負(fù)載開關(guān)等低功耗(<30V)應(yīng)用。這些功率開關(guān)可在低至1.5V的柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓下工作，同時(shí)提供較之于其它解決方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的熱阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench技術(shù)，封裝為2.0mm x 1.6mm SC-75，較3 x 3mm SSOT-6封裝及SC-70封裝體積分別減小65%和20%。
這些2.0mm x 1.6mm MicroFET功率開關(guān)的優(yōu)勢(shì)是能夠提供出色的熱性能和電氣性能，它們的性能與3mm x 3mm SSOT-6封裝的功率開關(guān)一樣。對(duì)于便攜式應(yīng)用如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)等，在超緊湊的封裝中提供最佳的性能至關(guān)重要，因?yàn)楦嗟墓δ軐⒁稍谠絹碓叫〉腜CB空間中。這些應(yīng)用并能夠獲益于開關(guān)保證在低至1.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下運(yùn)作的特性。
FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z的主要特性包括：
節(jié)省空間，因?yàn)檫@些MicroFET開關(guān)較采用SC-70封裝的功率開關(guān)體積減小20%
確保在低至1.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下運(yùn)作，能夠滿足便攜式應(yīng)用的電壓要求
出色的電氣性能和熱性能
- RDS(ON) 160mΩ @ VGS = -2.5V
- 熱阻89℃/W
飛兆半導(dǎo)體提供業(yè)界最為廣泛并提升熱性能的超緊湊低側(cè)高器件，瞄準(zhǔn)低功耗應(yīng)用。這些易于實(shí)現(xiàn)及節(jié)省空間的高性能MOSFET適用于客戶所有低電壓開關(guān)和功率管理/電池充電設(shè)備中。
FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用無鉛(Pb-free)端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對(duì)無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均設(shè)計(jì)滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS)的要求。
編輯：ronvy
http:m.mangadaku.com/news/2007-11/20071120101146.html
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