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安森美半導體推出更小占位空間和更低高度功率MOSFET(圖)

　　安森美半導體為空間受限的便攜式電子應用推出新SOT-723封裝功率MOSFET,新款1.2 mm x 1.2 mm大小的NTK313xx系列提供類同現有便攜式電子應用中的SC-89封裝MOSFET的性能表現，但帶來44%更小占位空間和38%更低高度

　　安森美半導體（ON Semiconductor）日前推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導體領先業內的Trench技術來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現。

　　NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電流下的低導通電阻RDS(on)以及1.5 V的低門極電壓讓它們可以通過電源管理ASIC或其他控制器直接控制。

　　NTK313xx器件相當適合負載或電源轉換應用和小信號接口切換，內置靜電放電(ESD)保護，這些器件把特殊處理和封裝工序需求減到最低。SOT-723封裝的1.2 mm x 1.2 mm占位面積比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封裝的MOSFET節省了44%的電路板空間，擁有0.5 mm的低垂直間隙，這些新SOT-723封裝MOSFET能滿足新一代超薄手持便攜式設備的需求。

　　目前兩款器件都已批量生產并供貨，每10,000片的預算批量單價為0.13美元。

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