飛兆功率器件解決方案可改善EMI和MOSFET開關損耗

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出全新Stealth II和Hyperfast II二極管技術，作為其專為LCD TV開關電源(SMPS)應用而優化的功率器件解決方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二極管具有出色的軟恢復能力(tb/ta>1.3)和極短的反向恢復時間(trr<25nS @ 600V擊穿電壓)。這些特性非常適合于在CCM(連續電流模式)功率因數校正(PFC)設計中改善EMI和MOSFET開關損耗。同時推出的還有FFPF08H60S Hyperfast II二極管，具有很快的反向恢復時間(trr<35nS @ 600V擊穿電壓)和很低的前向電壓降(Vf<2.1V)，有助于在DCM(不連續電流模式)PFC設計中減小傳導損耗及提高能效。新Stealth II和Hyperfast II技術的開發是要與飛兆半導體現有的UniFET及SuperFET MOSFET技術系列相結合，并且相輔相成。這一產品組合提供了完整的解決方案，可以提高LCD TV電源設計的系統效率和可靠性，并同時降低EMI。

Stealth II/Hyperfast II+UniFET的組合優化PFC設計

    LCD TV的SMPS一般工作在兩類PFC電流模式下：CCM和DCM。為了優化CCM設計，飛兆半導體的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢復二極管可與飛兆半導體先前推出的UniFET MOSFET同用。例如，19A 500V FDA18N50 UniFET采用專有的平面條形DMOS技術獲得很低的導通阻抗RDS(on)(0.265Ohm @ VGS=10V)和很高的承受UIS(非鉗位感應開關)的能力。UniFET器件與新型的Stealth II二極管相結合，其開關損耗比較前一代產品可降低10%，從而實現出色的系統效率。同樣地，飛兆半導體新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二極管也可與相同的UniFET器件共同使用，在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保護能力。

SuperFET FRFET用于高效、可靠的主開關設計

    現在的LCD TV SMPS必須在開關模式工作中降低功耗，并同時保持系統性能和可靠性。飛兆半導體現有的SuperFET快速恢復MOSFET(FRFET)產品便經過優化以滿足這種設計要求。結合SuperFET技術和控制少子壽命的工藝，SuperFET FRFET能夠提高體二極管的性能、對關斷電壓變化dv/dt的抗擾性，以及降低其EMI，最新一代FCPF11N60F器件具有trr=120ns & Qrr=0.8μC以及高達50V/ns dv/dt的能力。

    全新Stealth II和Hyperfast II產品采用采用無鉛封裝，能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。目前有現貨供應，交貨期為收到訂單后12周內。