安森美涉足HighQ硅-銅集成無源器件制造領域

     安森美半導體(ON Semiconductor)近日宣布，將其先進的制造工藝技術擴大到HighQ硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務領域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創新的8英寸晶圓技術比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。

    安森美半導體的HighQ IPD工藝技術是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應用，高性能等于延長電池壽命。

    安森美半導體制造服務總經理Rich Carruth表示：“目前，為了向市場推出具有價格競爭力的電子消費品，設計人員在為板選擇無源器件時只好犧牲性能。以砷化鎵-金工藝制造的無源器件提供較好的性能，但是過高的總體制造成本限制了其用于手機和其他無線產品。而典型的硅-銅工藝制造的無源器件比砷化鎵無源器件制造成本低，只是性能稍遜。采用安森美半導體HighQ工藝制造的無源器件，為設計人員提供具價值的第三個選擇——比普通硅-銅器件的Q值高，比砷化鎵無源器件更具價格優勢。”

    工藝

    位于美國的世界級安森美半導體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具優秀的原型和生產周期，高科技產品生產和故障分析設備和系統。

    HighQ制造工藝制造出銅鍍層厚實的電感器、MIM電容器(0.62 fF/um2)以及TiN電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評估標準，顯示了該方案的穩健。

    * 加工溫度-65℃/150℃

    * 金屬、Vias和MIM電容器上固有的穩定性

    * 高溫反位相(Op)壽命(150℃, 504 小時)

    * 額定ESD：HBM, MM

    IPD產品

    Carruth表示：“安森美半導體已經為準備生產的客戶以及需要定制產品設計方案的客戶提供了HighQ制造服務。我們快速的原型建立能力，使客戶在短短6周即可完成硅設計到制造。”

    HighQ制造工藝是不平衡變換器、濾波器和濾波器/耦合器等用于便攜和無線應用產品的最佳選擇。

安森美半導體目前正在開發HighQ高帶寬濾波器系列，用于在高速串行接口上降低電磁干擾(EMI)。樣品將于今年夏季推出，計劃在第四季度生產。

    IPD設計工具

    安森美半導體為制造服務的客戶提供用于IPD技術的設計組件，能夠有效仿真的第一硅方案結果，并包含標準的Cadence設計工具：

    * PCELL生產器、Views等；

    * Cadence Assura DRC、LVS；

    * 帶有安捷倫ADS模型的 Cadence RFDE環境；

    * 從布局到HFSS仿真環境全自動轉化。

    安森美半導體為潛在客戶提供這套設計組件，幫助他們進行快速的建立原型。