2007LED技術研討會：Cree展示藍色LED芯片開發狀況

    Cree在2007年6月14～15日“日經電子”和“日經微器件”共同舉辦的“LED技術研討會2007”上，介紹了SiC底板上形成的藍色LED的開發狀況。

　　關于藍色LED的光輸出功率，Cree預測表示，輸入電流為20mA的產品方面，最大的光輸出功率07年7月將達36mW、08年7月將達40mW、09年7月將提高到44mW。輸入電流為350mA的產品方面，最大光輸出效率07年1月為340mW，預計08年1月將達420mW、09年1月將為400mW（以上？）、09年10月將達到550mW，一路提高下去。與熒光材料組合而成的白色LED方面，目前量產產品的發光效率為80lm/W，開發產品則達到了120lm/W。09年量產產品將實現發光效率120lm/W。

　　Cree公司展示了開發中的藍色LED芯片的結構。它在SiC底板上使GaN發生外延生長（Epitaxial Growth）。芯片結構為，不采用下部電極而從表面實現正負極連接的2線焊（Wire Bonding）連接倒裝芯片（Flip Chip）結構。由于沒有下部電極，所以發光層發出的光在GaN層內不再發生反復反射，與此前的芯片結構相比，將光取出芯片外的效率（光取出效率）將會提高。