飛兆發布7款采用MLP封裝全新MicroFET

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)日前推出7款全新MicroFET產品，為面向30V和20V以下低功耗應用業界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產品在單一器件中結合飛兆半導體先進的PowerTrench和封裝技術，比較傳統的MOSFET在性能和空間方面帶來更多優勢。例如，它們采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑無腳封裝(MLP)，較之于低壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封裝MOSFET體積減小55%及高度降低20%。相比SC-70封裝的傳統MOSFET，這些新產品更具有出色的功耗和傳導損耗特性。全新MicroFET器件兼具緊湊封裝和高性能特性，成為電池充電、負載開關、升壓與直流/直流轉換，以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應用的理想選擇。

    飛兆半導體通信產品市務總監Chris Winkler表示：“飛兆半導體的MicroFET產品經專門設計，能夠滿足超緊湊、超薄低高度的便攜式應用設備不斷提升的熱性能需求。通過推出7款采用最先進封裝技術的器件，飛兆半導體為工程師提供了更為廣泛的MicroFET產品選擇，能提高其低壓應用的熱性能和電氣性能，并同時節省線路板空間。”

    在這些新MicroFET產品中，FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ和FDMA1025P分別具備不同的配置，集成了單及雙P溝道PowerTrench MOSFET與ESD保護齊納二極管。為了獲得額外的系統性能，FDMA1023PZ更可保證以低至1.5V的柵極電壓 (VGS) 提供低額定導通阻抗RDS(ON)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。

    另外三款產品集成了N或P溝道MOSFET和肖特基二極管。當中，FDFMA2P029Z和FDFMA2P857集成了P溝道MOSFET和肖特基二極管，并經優化以提升前向電壓(VF)和反向泄漏電流(IR)，能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N溝道MOSFET和肖特基二極管組合，這種配置非常適合于升壓應用。

    這些產品采用無鉛封裝，能夠滿足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。