Zetex高性能晶體管有效提升電源功率密度

    模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。

    Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至100V的工作電壓，使MOSFET柵極能以更高速度、更具效率地運行，勝過同類CMOS集成電路。它們同時還具有抗鎖定功能，從而提升整個系統(tǒng)的可靠性。另外，由于產(chǎn)品采用SOT23FF封裝，因此可以安裝在最靠近MOSFET的位置，有助于降低線路電感和振鈴效應(yīng)。”

   20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保證在7A和5A電流下分別提供100和110的增益。如果采用共發(fā)射極配置連接，它們更能提供極快速的切換，傳播時間少于2ns，升降時間在10ns和20ns之間。該類產(chǎn)品的峰值電流性能高達15A，是用于柵極驅(qū)動集成電路極具成本效益的替代產(chǎn)品。

    在用于POL DC-DC模塊和應(yīng)急照明設(shè)備的、采用自振蕩和推挽拓樸結(jié)構(gòu)的飽和式開關(guān)應(yīng)用中，晶體管的低飽和電壓能力可提供顯著的優(yōu)勢。以額定電壓為60V的ZXTN19060CFF NPN產(chǎn)品為例，它在1A電流和10mA基極驅(qū)動下的飽和電壓僅為150mV，在2A電流和40mA基極驅(qū)動下為 135mV。