東芝試制出了采用SiC材料肖特基二極管（SBD）的逆變器模塊,并使用該模塊進行了驅動馬達的演示。“此前曾展出過SiC元件，不過進行演示還是第一次”。
此次提高了由SiC材料制作的SBD的特性。耐壓為1250V，輸出電流密度為200A/cm2時的導通電壓為1.22V�！霸谀蛪簽�1200V級的SBD中，導通電壓非常低。已投產的SiC材料的SBD，其導通電壓在1.45～1.5V左右”，此次的導通電阻“大概為1mΩcm2左右”。另外，何時達到實用水平還未確定。
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編輯：ronvy
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本文鏈接：東芝演示采用SiC二極管的逆變器模塊
http:m.mangadaku.com/news/2008-10/200810883627.html
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文章標簽： 東芝/SiC二極管/逆變器模塊
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