三菱電機(jī)攜眾多新品強(qiáng)勢亮相2008慕尼黑上海電子展

    三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM（雙列直插型智能功率模塊）、第五代智能功率模塊L1系列IPM以及多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。

    三菱電機(jī)常務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體事業(yè)本部總經(jīng)理長山安治先生此次特別從日本趕來參加展會(huì)，他指出：“日前中國市場發(fā)展迅猛，作為全世界最大的電子市場，三菱電機(jī)十分重視在中國的發(fā)展。我們將致力引入領(lǐng)先的技術(shù)及適合不同領(lǐng)域的優(yōu)秀解決方案，協(xié)助客戶面對越來越激烈的市場競爭。”

    三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū)，早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)的DIP-IPM。2004年以來，DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化，并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今，為提高DIP-IPM的性價(jià)比，增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3A的DIP-IPM，從而使第四代DIP-IPM系列產(chǎn)品更加豐富，為白色家電等變頻基板的小型化做出貢獻(xiàn)。

    三菱電機(jī)日前新推出第五代L1系列智能功率模塊，其將硅片溫度傳感器設(shè)置在IGBT硅片正中央處，實(shí)現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術(shù)，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的VCE與Eoff折衷曲線。L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級(jí)的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產(chǎn)品以滿足客戶節(jié)約成本的需求。

    三菱電機(jī)采用最新開發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長等優(yōu)點(diǎn)。分別針對不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

    三菱電機(jī)在展會(huì)期間，還設(shè)有現(xiàn)場滾動(dòng)講座講解各技術(shù)方案及其應(yīng)用。