Microsemi宣布推出新的1.7KW RF發(fā)生器參考設計工具套件

     領先的高性能模擬和混合信號集成電路和高可靠性半導體器件制造商Microsemi Corporation宣布推出一個新的1.7KW推挽D類參考設計工具套件，該設計工具套件使得RF設計工程師能夠立即對一個高效率、大功率的D類RF 放大器進行評估。

    基于Microsemi DRF1300 驅動器/MOSFET混合集成電路之上，這個新的參考設計工具套件為開發(fā)大功率、高電壓的RF 發(fā)生器以及優(yōu)化等離子體發(fā)生器、開關模式功率放大器、脈沖發(fā)生器、超聲波轉換器驅動器、聲光模塊的效率和功率密度提供了一個重要的工具�！�

產品的主要特性：

• 輸出功率超過1700 W
• D類運行的效率高于80%
• 開關頻率：13.56 MHz
• 電源電壓高達 250V 
• 內部MOSFET 的BV(DSS)額定值：500V
• 低成本的系統(tǒng)設計
• 適合于從電子管放大器轉變?yōu)楣虘B(tài)放大器

    D類放大器能夠提供線性放大器所不能提供的高效率。然而，許多工程師或者回避D類放大器復雜的設計，或者不得已花費數月來學習它的基本原理。使用Microsemi新的DRF1300/D類參考設計工具套件，可使工程師迅速克服高電壓D 類設計中的 困難，節(jié)約數月的設計時間，避免無數反復的設計。

    該工具套件的電路板以Microsemi DRF1300 驅動器/MOSFET混合集成電路為核心，能夠獲得以往固態(tài)D類放大器不可能實現(xiàn)的性能。DRF1300混合集成電路將二個驅動器、二個高電壓MOSFET和內部旁路電容組合為一個推挽電路拓撲，成為一個高效率、高電壓和高成本效益的解決方案。因為該驅動器與位置被優(yōu)化的旁路電容相組合，所以能夠在高于30MHz的頻率下驅動高電壓的MOSFET。500V的MOSFET使之能夠應用于高電壓，從而極大地簡化輸出匹配，并降低輸出連接網絡的復雜性。

    這套新的Microsemi D類參考設計工具套件包括：提供給設計者的應用指南，用來說明如何通過一系列的各種不同輸出電壓，來確定安全轉換最大功率1700W到50歐姆負載所必需的合適輸出波形。同時，它還演示了如何在較低的1KW輸出下，達到高于90%的效率。它示

    范了在大功率D類功放的設計中, 對電源旁路電容和高功功率電感設計的要求.套件還提供裝配齊全的電路板，該電路板安裝在一個機械加工的散熱器之上。

    該D類參考設計工具套件是非常通用的設計工具。在評估了采用預負荷500V、30A的DRF1300混合集成電路的一個設計之后，能夠很容易地用1000V、15A 的DRF1301驅動器/MOSFET混合集成電路來改造這個設計，使之適用于需要更高電壓的應用。

    DRF1300混合集成電路的特點是采用空氣腔-無凸緣的封裝，這種封裝比常規(guī)的塑料封裝具有更高的可靠性。因為無凸緣封裝使用熱膨脹系數(CTE)接近匹配的材料，所以可以減輕在功率循環(huán)期間內元器件之間的應力，使系統(tǒng)的可靠性最大化。在超過一百萬次的循環(huán)中，演示了典型應用，其功率密度為 700W/平方英寸。由于無凸緣封裝設計的采用，不再需要通常在大功率RF封裝中使用的昂貴的銅-鎢翼板，因此也降低了成本。

    目前，DRF1300/D類參考設計工具套件已可供貨，單價為 $1600。并可提供DRF1300和DRF1301驅動器/MOSFET混合集成電路的樣品。另外，對于批量為100 的DRF1300混合集成電路的訂貨，單價為$225.00。所有的器件都通過工廠或經授權的Microsem RF產品批發(fā)商供貨。