英飛凌攜最新MOSFET器件出席國際電源展

    5月23-25日，第十四屆中國國際電源展暨電子變壓器展在深圳會展中心盛大召開，展會上英飛凌推出具全球最低通態電阻、采用SSO8無鉛封裝的全新OptiMOS 3系列N溝道MOSFET模塊，該系列模塊的應用可使工業、消費類和電信應用的功率密度提高50%。

國際電源展上的英飛凌展臺

    英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt先生介紹，使用OptiMOS 3系列產品可將使用前一代產品的電源設備能源效率提高1%。這種提升幅度看似不大，但目前PC電源的能效已經達到85%以上，服務器電源的能效更是高達89%，如此高的能效基礎使得任何一點細微的提升都異常艱難。雖然只有1%，但如果全球1,200W服務器供電系統的能效都提高1%，全年即可節省約360兆瓦的電量，相當于一個傳統發電廠的發電量。

英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt先生

    “作為全球功率半導體領域的技術領袖，英飛凌引領超小封裝潮流，使通態電阻降低高達50%。”英飛凌電源管理與驅動產品事業部負責人Gerhard Wolf指出，“我們利用在功率半導體制造和封裝方面的領先技術，使功率半導體具備一流的效率和開關特性、更高的功率密度以及出色的性價比，從而大大降低系統成本。”