科達半導體擬建功率器件自有生產線和廠房

　  科達實業于2007年10月與美方合資成立科達半導體，注冊資金為5000萬元，中方出資，占據70%的股權，美方出技術，占據30%的股權。主要產品為IGBT、MOSFET和FRD等半導體器件。

　　 2008年6月13日，科達半導體以公司子公司科英電子名義申請的IGBT產業化項目列入國家高技術產業發展項目計劃及國家資金補助計劃，獲得國家補助資金1500萬元。

　　根據賽迪的估測，2004年全球功率半導體市場容量達到204億美金，中國為707億人民幣，同時保持著20%的年增長率，預計到2010年中國市場將占世界50%以上的份額。其中IGBT2005年市場規模達到5個億，年增長率保持在30%左右。行業的廣闊前景和存在問題為科達半導體的發展提供了機遇。

    相比于國內同類廠商，科達半導體擁有的優勢主要體現在技術上。首先由于有美方的強力技術支持，直接利用世界最先進的技術，能夠生產出國內同類廠商無法生產的高端產品，如低壓大電流的MOSFET產品。即使是國內廠商能夠生產的產品，科達半導體的產品一次流片可以基本保證完成，二次流片僅僅作為驗證和確認質量。同類產品科達半導體的晶片厚度遠低于國內廠商，采用的產品生產線也領先于國內同類廠商。

　　 而相比飛兆（Freescale）、意法半導體（ST）和英飛凌(Infenion)等國外廠商，科達半導體的優勢主要體現在成本上。

　　 自成立以來，科達半導體一直采取代工的模式生產產品，公司打算在今年9月開始投資8000萬元建設部分自有生產線和廠房，進一步擴大產能。預計達產后可每年實現總產值16億元，凈利潤1.2億元。（電源在線 朱榮威）