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下一代功率半導(dǎo)體SiC國(guó)際會(huì)議召開

　　作為繼Si之后的新一代功率半導(dǎo)體，SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)高效率化和小型化的關(guān)鍵所在。關(guān)于SiC的全球最高級(jí)別國(guó)際學(xué)會(huì)“第七屆碳化硅與相關(guān)材料歐洲會(huì)議（ECSCRM）”于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會(huì)議截止日期為08年9月11日。

　　ECSCRM上，除肖特基二極管（Schottky Barrier Diode）和MOSFET等利用SiC的元件（SiC元器件）外，還將發(fā)表決定SiC元件特性和價(jià)格的SiC底板、結(jié)晶成長(zhǎng)技術(shù)以及分析技術(shù)等相關(guān)最新成果。除這些技術(shù)外，“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應(yīng)用等近來備受矚目的研究成果”（在國(guó)際籌劃指導(dǎo)委員會(huì)就職的科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）JST京都科技創(chuàng)新館（Innovation Plaza）館長(zhǎng)松波弘之）。

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