安森美半導體24款高密度溝槽MOSFET提升更高開關性能

新的NTD49xx、NTMFS49x、NTTFS49x和NTMS49x系列30 V、N溝道器件提升開關性能及總能效

    安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝，為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。

    新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩壓電源(VRM)及負載點(POL)應用中的同步直流-直流(DC-DC)轉換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業界領先的低導通阻抗。

    安森美半導體功率MOSFET產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“計算機和游戲機領域的電源管理設計工程師能夠利用安森美半導體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術專長，為我們的客戶提供多種方案，以應對提升能效及節省空間等設計挑戰。”

    安森美半導體的新MOSFET采用先進的封裝系列，具有優化的低門電荷及低導通阻抗，提升開關性能及系統總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件，且符合RoHS指令。

器件及封裝
    NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。這些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封裝，每10,000片批量的預算單價為0.28至0.50美元。

    NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N將于2010年初之前推出。這些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封裝，每10,000片批量的預算單價為0.26至0.50美元。

    NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。這些器件采用3.3 mm x 3.3 mm µ8FL封裝，每10,000片批量的預算單價為0.30至0.60美元。

    NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。這些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封裝，每10,000片批量的預算單價為0.30至0.80美元。

關于安森美半導體(ON Semiconductor)
    安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是計算機、通信、消費產品、汽車、工業 、醫療和軍事/航空市場之首選高性能、高能效硅方案供應商，幫助設計人員提升電子產品的系統能效，既快速又符合高性價比。公司的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務網絡。■