意法半導體推出業界單位芯片面積通態電阻最低的超結器件

　　意法半導體（ST）日前推出一款全新功率 MOSFET產品，為設計工程師帶來更多選擇。新產品 STW77N65M5采用意法半導體的超高能效MDmesh V制造工藝和工業標準TO-247 封裝，是業內通態電阻最低的650V MOSFET產品。

　　這款新器件是STW77N65M5，通態電阻RDS(ON)為38mΩ，采用TO-247封裝。意法半導體計劃在2010年推出采用Max247封裝的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超結MOSFET技術發布會上，意法半導體公布開發藍圖時曾介紹過這兩款產品。STW77N65M5的最大輸出電流額定69A，現已全面投入量產。 

　　與常規MOSFET產品和競爭的超結器件相比，意法半導體的MDmesh V技術的單位芯片面積通態電阻最低。更低的損耗給設計帶來很多好處，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度，最終可提高目標應用的可靠性，如個人電腦和服務器的電源、太陽能轉換器、電焊電源和不間斷電源設備，導通損耗是影響這些應用能效的要素之一。

　　在強調超低通態損耗的同時，這些器件還實現了低開關損耗，使各種應用能夠在不同的工作條件下提高總體能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工業標準的封裝，包括 TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAK和IPAK。

    意法半導體功率MOSFET產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列產品整合了意法半導體專屬的第五代超結技術，和經過應用驗證的 PowerMESH™ 水平布局設計，產品性能優于同類競爭產品。無論采用何種封裝，業界最低的單位芯片面積RDS(ON)都能提供能效優勢。設計人員使用很少數量的MDmesh V器件即可替代多路并聯的普通MOSFET網絡，提高設計性能，降低總體尺寸。”■