飛兆 100V MOSFET為電源設計帶來低達50%的RDS(ON)

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench 工藝技術，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優良的開關性能和穩健性。相比柵級電荷相同的現有解決方案，這一專有工藝技術提供了業界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以減小導通損耗，而不會受到較高柵級電荷的影響。以太網、刀片服務器和電信應用正逐漸從12V轉向48V電源，對于優化開關效率的需求變得越來越重要。

    PowerTrench MOSFET 內置增強型軟體 (soft-body) 二極管，可以減小開關噪聲并降低應用的EMI 敏感性。這項功能可以節省線路板空間和減少組件數目，而許多替代解決方案卻需要加入一個緩沖器網絡才能減小開關噪聲尖峰。

    FDMS86101是飛兆半導體全面的PowerTrench MOSFET產品系列的一員，能夠滿足當今電子產品的電氣和熱性能要求，有助于實現更高的能效。飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術能夠實現非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG)，從而獲得出色的開關性能和熱效率。

    單價 (訂購1000個)： 1.55美元

    供貨：現提供樣品

    交貨期：8至10周。