PCIM 2009：三菱電機攜新產品亮相

    三菱電機致力推動環保，將攜同一系列新型的HVIGBT模塊、第4代DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊），及L1系列智能功率模塊、和第6代IGBT模塊等功率器件，在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相，向參觀者推介各種應用解決方案。

    HVIGBT模塊已經在大功率領域得到廣泛應用，比如：軌道牽引和大功率工業驅動。這些大功率應用需要具有優良性能的HVIGBT模塊，尤其要求損耗低、額定電流大以及運行結溫范圍大的特性。

    三菱電機1700V N系列HVIGBT模塊采用載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，獲得更好的飽和壓降（VCE(sat)）與關斷損耗（Eoff）的折衷關系，有效降低了模塊的功率損耗。

    3300V R系列HVIGBT模塊采用FP-LPT-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不犧牲模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。

    6500V HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。

    三菱電機機電（上海）有限公司董事總經理森敏先生說：“在經過金融危機后，中國已成為全球最具潛力的市場，三菱電機這次展示最新研制的產品，在節約能源和生態持續發展方面向前跨進一步，協助構建綠色和諧社會。”

    在節能方面，三菱電機的DIPIPMTM是控制壓縮機電流、空調變頻器節能的關鍵元件。模塊集成了功率器件及其驅動保護芯片，從而大大減少電力損耗達到節能效果。

    第4代DIPIPMTM有超小型、小型和大型三種大小的封裝。超小型3A/600V產品是世界上首次將RC-IGBT搭載于變頻用途的IPM，其模塊內部的硅片數量減少了一半，加之散熱優化的封裝結構使得DIPIPMTM的可靠性更高且功率密度更大。大型封裝的DIPIPMTM額定值可達75A/600V和35A/1200V，采用了全柵型CSTBTTM硅片、優化的驅動IC以及導熱性能優異的絕緣薄膜。不僅能用于柜式變頻空調，還可滿足工業變頻應用，它必將為變頻系統的進一步小型化做出卓越的貢獻。

    三菱電機應用于家電市場的產品還有DIPPFCTM和DIPPSCTM。DIPPFCTM是完全開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它的內部集成了二極管整流橋和有源PFC電路，硅片的功率損耗低，封裝小型化且熱阻低。DIPPSCTM是部分開關型功率因數校正雙列直插智能模塊，它內置功率因數校正電路及三相逆變電路，內建自舉電路且可動態監視模塊內部溫度。DIPPFCTM和DIPPSCTM均能有效改善家用電器對供電電網的諧波污染。

    DIPIPMTM是變頻家電功率轉換部分的核心，變頻家電以其節能、環保的優點近年來逐步受到市場的親睞。例如：變頻空調比定速空調節電20-30%；變頻冰箱比常規冰箱節電50%左右；變頻洗衣機比常規洗衣機節電50%左右，在節水方面，變頻洗衣機比常規洗衣機節水30-50%左右。

    三菱電機早在10年前已向日本電動汽車行業提供功率半導體。現在，三菱電機的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。

    第5代L1系列智能功率模塊，將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優化的VCE(sat)與Eoff折衷曲線。

    最新開發的第6代IGBT模塊，采用優化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進一步降低模塊的開關和通態損耗。模塊內的續流二極管硅片，由于采用薄晶片工藝和擴散技術，這種硅片優化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復的拖尾電流，并且獲得更好的VF和Qrr的折衷關系。

    實驗證明新型硅片具有足夠寬SCSOA和至少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，運行結溫最高可達175°C。該IGBT模塊產品豐富，有1200V和1700V兩個電壓等級，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。全系列產品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。■