Vishay Siliconix推出最佳導通電阻的器件SiR494DP

SiR494DP在10V和4.5V柵極驅動下的最大導通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ，皆為業(yè)界最佳
器件的導通電阻與柵電荷乘積只有85nC，為業(yè)內最佳

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
 
    額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅動下的最大導通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導通電阻與柵電荷的乘積是評價用于DC-DC轉換器應用中MOSFET的關鍵品質因數(FOM)，該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。
 
    與對低傳導損耗和低開關損耗進行過優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，這些指標表明該器件在10V和4.5V下的導通電阻分別減小了40%和35%，FOM降低了29%。更低的導通電阻和柵電荷意味著更低的傳導和開關損耗。
 
    Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉換器、低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應用，以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負載點(POL)轉換器的系統(tǒng)中的低壓側MOSFET，在這些應用中，新器件的低導通損耗和低開關損耗將能夠更有效率地使用能源。
 
    對于低輸出電壓的應用，12V的柵源額定電壓恰好夠用，但迄今為止，設計工程師被迫選用20V的器件，尤其是設計者同時需要最低的導通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V柵極驅動下的導通電阻只有1.2mΩ。

    新型功率MOSFET采用PowerPAK® SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范，并100%通過了Rg和UIS測試。
 
    第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢。SiR494DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

VISHAY SILICONIX簡介
    Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。 
    創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 
    Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。■