士蘭明芯推出高亮度紅光LED芯片

　　相對于普通結(jié)構的紅光LED芯片，高亮度紅光芯片則是一種亮度高、可靠性好的發(fā)光器件，它采用鍵合工藝實現(xiàn)襯底置換，用到熱性能好的硅襯底（硅的熱導率約為1.5W/K.cm）代替砷化鎵襯底（砷化鎵的熱導率約為0.8W/K.cm），芯片具有更低熱阻值，散熱性能更好，有利于提高可靠性。另外，在P-GaP上鍍反射層，比普通紅光外延層中生長DBR反射鏡出光效率更高。為了克服光在芯片與封裝材料界面處的全反射而降低取光效率，還在芯片制作一些表面紋理結(jié)構。相同尺寸相同波長的芯片，20mA電流下，兩者光強相差兩倍以上，如圖。

圖-1  高亮度紅光芯片剖面示意圖

圖-2  高亮度紅光芯片

　　高亮度紅光LED芯片因為本身發(fā)光效率高、可靠性好，主要應用于對亮度、可靠性要求較高的場合，比如幕墻屏幕、液晶顯示屏LED背光源等領域。之前由于普通紅光LED芯片亮度不夠，在由紅（R）綠（G）藍（B）組成的一個全色模組中通常的構成是一顆藍光芯片、一顆綠光芯片、兩顆普通紅光芯片。現(xiàn)在若使用高亮度紅光芯片則一顆就可滿足要求， 
而且可靠性高，維護成本明顯降低。

　　目前市場上較多的是普通結(jié)構的紅光芯片，價格很低，利潤空間很小。高亮度紅光芯片有較大的市場需求，由于在制造技術上有一定的難度，目前只有少數(shù)幾家公司能批量供貨，產(chǎn)品的性價比較高。

　　2008年底士蘭明芯科技有限公司開始開發(fā)高亮度紅光芯片，技術團隊不斷調(diào)整試驗方案、優(yōu)化工藝參數(shù)，使不同熱膨脹系數(shù)材料之間的金屬鍵合工藝窗口更寬，鍵合良率和可靠性得到保障。

　　金屬反光特性一直是影響紅光芯片亮度的一個主要因素，通過大量試驗，已經(jīng)徹底解決了這一問題。

　　發(fā)光二極管的電極合金條件不合適會導致金絲鍵合時電極脫落，對于高亮度紅光芯片而言，電極合金的工藝要求更高。為了解決好電極和紅光外延層粘附性問題，士蘭明芯的技術團隊在表面處理、合金層結(jié)構、合金條件做了大量試驗和重復驗證工作，克服了電極容易脫落這一難題。

　　士蘭明芯高亮度紅光芯片的各項參數(shù)指標已達到先進的水平，今年7月份進入批量生產(chǎn)。現(xiàn)在生產(chǎn)的芯片尺寸規(guī)格有280um×280um、350um×350um兩種。■