Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

    世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。
 
    與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數及低功耗等特點，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。
 
    Ramtron市場拓展經理李鴻鈞稱：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容，具有實時非易失性寫入和快速上電運作等優勢，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持斷電時的數據存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節省成本和基板空間，簡化生產，提高產品的可靠性。”

    FM14C88是配置為32K x 8的標準并口非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數據，并提供超過635年(55℃) 的數據保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設計復雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(寫入次數大約為1014次) 等特點，使其成為RAID存儲服務器及工業自動化等應用的理想選擇。
 
    FM14C88在系統內的工作方式與其它 SRAM 器件類似，可以用作標準SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數據的非易失性存儲應用。FM14C88可在整個工業環境溫度范圍(-40°C至+85°C)工作。
 
FM14C88 F-RAM器件的特性包括：
●  無延遲 (NoDelay™) 寫入
●  頁面模式工作頻率高達33MHz
●  無需大型存儲電容器，不存在與電容相關的品質和成本問題
●  即時進行非易失性寫入操作
●  上電恢復時間為250 ms，比nvSRAM快100倍
●  引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
●  60 ns存取時間，90 ns讀寫周期時間
●  電源電壓2.0V – 3.6V
●  90 mA待機電流 (典型值)
●  7 mA工作電流 (典型值)
●  32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝
 
    FM14C88 并口存儲器已獲得全球著名RAID供應商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優勢已獲得業界公認。
 
關于Ramtron International
    Ramtron International 總部設在美國科羅拉多州Colorado Springs市，是專門設計、開發和銷售專用半導體存儲器和集成半導體解決方案的無晶圓廠半導體公司，產品廣泛用于各種應用和全球市場。要了解更多信息，請訪問公司網站www.ramtron.com。■