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IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率 MOSFET

2010/7/2 13:48:43   電源在線網(wǎng)
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    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率 MOSFET

    新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能,適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

    IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“由于新器件的尺寸僅為0.9mm,并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳,可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻,因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開關(guān)應(yīng)用。”

    所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。

    產(chǎn)品基本規(guī)格

器件編號(hào)

封裝

電壓

電流

導(dǎo)通電阻

柵極電荷類型

柵極

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5110TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

63A

12.4 mOhm

48 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5210TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

55A

14.9 mOhm

39 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5015TRPBF

PQFN 5x6mm

150 V

56A

31 mOhm

33 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5020TRPBF

PQFN 5x6mm

200 V

41A

59 mOhm

36 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRLH5034TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

最大2.4 mOhm 

43 nC

邏輯電平

IRLH5036TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

最大4.4 mOhm 

44 nC

邏輯電平

IRLH5030TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

最大9.0 mOhm 

44 nC

邏輯電平

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  來源:國際整流器公司
本文鏈接:IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中
http:m.mangadaku.com/news/2010-7/201072134843.html
文章標(biāo)簽: 功率MOSFET/解決方案/DC-DC
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