Diodes 40V 閘極驅動器減少IGBT開關損耗

    日前，Diodes公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。

    當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅動器通常可提供 4A 的驅動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應（latch-up）及貫通問題（shoot-through），實現少于 10ns 的傳輸延遲時間。

    ZXGD3006E6 的操作范圍涵蓋 40V，可全面改善開關器件，從而把通態損耗降至最低。該器件同時允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅動，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發（false triggering）。

    這個閘極驅動器提供獨立電源和路漏輸出（sink output），可分別器件開啟及關閉時間，從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開關功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電，以減少更高運行頻率下的 EMI（電磁干擾）問題和跨導風險（cross conduction）。

    該閘極驅動器采用堅固耐用的 SOT26 封裝，可比競爭器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經過優化，能簡化印刷電路板布線，并減少寄生引線電感。g