近日，由我國自主研制的首批8英寸IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試并穩定運行1萬公里，這標志著我國已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現從研發、制造到應用的完全國產化。
此次試運行的IGBT模塊，由中國南車株洲研究所旗下南車時代電氣自主研發的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術均在該公司研制和生產。
據中國工程院院士、南車株洲所總經理丁榮軍介紹，如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中，每年可節約用電2000億千瓦時，相當于兩個三峽電站的年發電量。同時，中國自主研發的高功率等級的IGBT對涉及國家經濟安全、國防安全等戰略性產業至關重要。<
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本文鏈接：我國自主研制的首批8英寸IGBT芯片實
http:m.mangadaku.com/news/54627.htm
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文章標簽： 8英寸IGBT芯片/絕緣柵雙極型晶體管
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