Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年3月12日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆（Anaheim，California）舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)（APEC）上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái)，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)。

　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBRICK系列高效率DC/DC升壓穩(wěn)壓器。這款業(yè)內(nèi)占位面積最小的器件采用集成磁芯，結(jié)合可靠設(shè)計(jì)與易用性為通信、工業(yè)和服務(wù)器應(yīng)用提供高性?xún)r(jià)比解決方案。同時(shí)，展示80 A SiC8xx VRPower®智能功率級(jí)。利用Vishay最新25 V和30 V trench MOSFET，器件峰值效率達(dá)95%，精度高達(dá)3%。

　　展出的Vishay Siliconix功率MOSFET采用各種先進(jìn)封裝，顯著提升電源效率和功率密度。器件展品包括第四代600V E系列功率MOSFET，該系列器件極低的導(dǎo)通阻抗從23 m到1450 m，用于功率因數(shù)校正（PFC）和硬開(kāi)關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌�可�?shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最優(yōu)品質(zhì)因素FOM（即柵級(jí)電荷與導(dǎo)通電阻乘積）。在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、小型太陽(yáng)能逆變器和可穿戴設(shè)備方面，展出的低壓TrenchFET®第四代器件導(dǎo)通電阻低至0.58 m，具有業(yè)內(nèi)最低QOSS與導(dǎo)通電阻乘積FOM。

　　展出的Vishay Semiconductors二極管包括用于PFC和輸出整流級(jí)的新型FRED Pt®第五代1200 V Hyperfast和Ultrafast整流器。30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗在同類(lèi)器件中達(dá)到最佳水平，效率相比硅片產(chǎn)品提高15%。同時(shí)還將展出采用SlimDPAK（TO-252AE）封裝的TMBS®器件，具有ESD功能、采用超薄SMPA（DO-221BC）封裝的標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流器，額定電流達(dá)2 A、采用MicroSMP（DO-219AD）封裝的FRED Pt®超快恢復(fù)整流器。模塊展品包括SOT-227封裝650 V超快恢復(fù)單相整流橋和1200 V標(biāo)準(zhǔn)雙模器件，四種可選封裝、通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的高壓晶閘管和二極管。

　　無(wú)源元件展品包括各種Vishay電容器、電阻器和電感器。Vishay BCcomponents將展示新款微型牛角式和螺絲接頭鋁電容器，以及X1、X2和Y2 EMI靜噪薄膜電容器，這些器件均通過(guò)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016 IIIB級(jí)認(rèn)證，此外，還將展示滿(mǎn)足雙85，1000小時(shí)測(cè)試要求的陶瓷安規(guī)電容器，ENYCAP電雙層儲(chǔ)能電容器。陶瓷盤(pán)式電容器展品包括額定電壓50 kVDC（34 kVRMS）新型Vishay Cera-Mite螺絲固定電容器，以及額定電壓15 kV，業(yè)內(nèi)2 nF高容量小型徑向引線Vishay Roederstein電容器。Vishay Roederstein還將展出AC濾波和DC-Link金屬化聚丙烯膜電容器。運(yùn)輸、工業(yè)和替代能源應(yīng)用方面，Vishay ESTA將展示水冷式感應(yīng)加熱電容器、電力電子器件、三相組件和采用ESTAspring，業(yè)內(nèi)首款杠桿操作彈簧接頭連接的LVAC功率電容器。

　　電阻器展品包括新型Vishay BCcomponents VDR金屬氧化物壓敏電阻（MOV），工作溫度達(dá)+125 C，抗浪涌電流能力達(dá)13 kA。厚膜器件包括Vishay Techno高壓和中壓片式電阻分壓器、防脈沖Vishay Draloric電阻器、通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的Vishay Sfernice器件、Vishay MCB功率電阻器和Vishay Dale氮化鋁器件。薄膜電阻器包括Vishay Dale大功率片式電阻，以及Vishay Beyschlag/Draloric通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的片式和MELF電阻。此外，Vishay Draloric將展示可熔斷繞線安規(guī)電阻及小型鋁殼電阻，同時(shí)Vishay Milwaukee展示動(dòng)態(tài)制動(dòng)和中性點(diǎn)接地電阻，Vishay MCB展示功率達(dá)9000 W的水冷電阻。Vishay BCcomponents將展出用于溫度檢測(cè)、通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的NTC接線片傳感器和熱敏電阻裸片，以及用于能量甩負(fù)荷的PTCEL電源浪涌限流器。

　　Vishay Dale超薄、大電流電感器產(chǎn)品線展品包括工作溫度達(dá)+180°C，九種外形尺寸和18種不同高度的汽車(chē)級(jí)IHLP®系列電感器；帶有集成式電場(chǎng)遮罩，能夠減小EMI的IHLE系列電感器；以及采用鐵粉芯技術(shù)，具有穩(wěn)定飽和性能的IHDM系列功率電感器。展示的Vishay Custom Magnetics解決方案包括平面封裝新款小型柵級(jí)驅(qū)動(dòng)變壓器，總線驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)1200 V，以及高功率密度、封裝高度僅為16.5 mm的混合式平面變壓器。

　　Vishay還將在展臺(tái)上提供多種產(chǎn)品演示，包括Vishay Techno CDMM厚膜表面貼裝片式電阻分壓器；Vishay Beyschlag MELF電阻器；Vishay Dale RCP厚膜和PCAN薄膜大功率、表面貼裝片式電阻器；Vishay BCcomponents 196 HVC ENYCAP混合儲(chǔ)能電容器；Vishay Dale IHLE電感器；Vishay Custom Magnetics TPL系列混合平面變壓器；以及Vishay Siliconix microBUCK®和microBRICK功率IC。

　　APEC是應(yīng)用電力電子領(lǐng)域的重要活動(dòng)，重點(diǎn)展示電力電子企業(yè)產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用。欲了解展會(huì)更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.apec-conf.org/。

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

　　ENYCAP是Vishay Intertechnology的商標(biāo)，F(xiàn)RED Pt、TMBS和IHLP是Vishay Intertechnology的注冊(cè)商標(biāo)。

　　microBRICK和microBUCK是Siliconix incorporated的商標(biāo)，TrenchFET和VRPower是Siliconix incorporated的注冊(cè)商標(biāo)。