賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK®1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。
與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平臺電壓，適用于柵極驅動電壓高于6 V的電路，器件最佳動態特性縮短死區時間，防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC，QOSS與導通電阻乘積，即零電壓開關（ZVS）或開關柜拓撲結構功率轉換設計中，MOSFET的重要優值系數（FOM）達到最佳水平。為實現更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節省65%的PCB空間。
SiSS22DN改進了技術規格，經過調校最大限度降低導通和開關損耗，多電源管理系統構件可實現更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。
MOSFET經過100%RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
SiSS22DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為30周，視市場情況而定。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。
TrenchFET和PowerPAK是Siliconix的注冊商標
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