Vishay推出的新款60V MOSFET是業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK®1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率和功率密度，柵極電荷僅為22.5 nC，同時具有低輸出電荷（QOSS）。

　　與邏輯電平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平臺電壓，適用于柵極驅(qū)動電壓高于6 V的電路，器件最佳動態(tài)特性縮短死區(qū)時間，防止同步整流應(yīng)用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導(dǎo)通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC，QOSS與導(dǎo)通電阻乘積，即零電壓開關(guān)（ZVS）或開關(guān)柜拓撲結(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計中，MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）達到最佳水平。為實現(xiàn)更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。

　　SiSS22DN改進了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實現(xiàn)更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器主邊開關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級，以及通信和服務(wù)器電源OR-ing功能、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

　　MOSFET經(jīng)過100%RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

　　SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為30周，視市場情況而定。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

　　TrenchFET和PowerPAK是Siliconix的注冊商標