Vishay推出具備優異導通性能且經過AEC-Q101認證的100 V 汽車級P溝道MOSFET

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2021年1月11日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET®MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽車應用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業內首款鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK®SO-8L封裝器件，而且10 V條件下其導通電阻僅為30 mW，達到業內優異水平。

　　日前發布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導通電阻分別降低26%和46%，占位面積分別減小50%和76%。SQJ211ELP低導通電阻有助于降低導通功耗，從而節省能源，10 V條件下優異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅動損耗。

　　這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測（AOI）功能，消除機械應力，提高板級可靠性。

　　器件100 V額定值滿足12 V、24 V和48 V系統多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡化柵極驅動設計，無需配置n溝道器件所需電荷泵。MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100%Rg和UIS測試。

　　SQJ211ELP現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為14周。