英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術(shù)開發(fā)

　　【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產(chǎn)第二代（Gen2）成熟的氮化鎵（GaN）技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力相結(jié)合，標志著英飛凌對氮化鎵功率半導(dǎo)體日益增長的需求的戰(zhàn)略拓展。根據(jù)市場需求，Gen2將被開發(fā)為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用，并提供更高的性價比，主要針對高功率和低功率SMPS應(yīng)用、可再生能源、電機驅(qū)動應(yīng)用等。

　　對于許多設(shè)計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關(guān)。由此帶來的能耗節(jié)省和系統(tǒng)總成本降低、可以在更高頻率、更高的功率密度和整體系統(tǒng)效率下工作，使GaN成為對設(shè)計工程師非常有吸引力的選擇。

　　英飛凌電源和傳感器系統(tǒng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“除了與第1代相同的高可靠性標準外，由于轉(zhuǎn)向8英寸晶圓制造，下一代客戶將因晶體管更易控制以及顯著改善的成本定位而受益。如同雙方聯(lián)合開發(fā)的第一代器件（即英飛凌的CoolGaN和松下的X-GaN），第二代器件將基于常閉型硅基氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)，再結(jié)合混合型漏極嵌入式柵極注入晶體管（HD-GIT）結(jié)構(gòu)無可比擬的穩(wěn)健性，使這些組件成為市場上的首選產(chǎn)品和最長期可靠的解決方案之一。”

　　松下電器工業(yè)解決方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示：“我們很高興能擴大與英飛凌在氮化鎵組件方面的伙伴關(guān)系和合作。在這種聯(lián)合方式下，我們將能夠以最新的創(chuàng)新發(fā)展為基礎(chǔ)，提供高品質(zhì)的第一代和第二代器件。”

　　供貨情況

　　全新650V GaN Gen2器件計劃于2023年上半年上市。