英飛凌：持續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化 實現(xiàn)數(shù)字和現(xiàn)實世界的連接

　2021財年，英飛凌業(yè)績表現(xiàn)亮眼：總營收為110.6億歐元，同比增長29%，總運營利潤達到20.72億歐元；運營利潤率為18.7%。整個財年的營收首次突破了110億歐元，同時盈利能力顯著提升，業(yè)務增長勢頭比以往任何時候都更加強勁。

英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場總監(jiān)陳子穎

　　據(jù)英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部市場總監(jiān)陳子穎介紹，從英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部在2021財年第四季度的業(yè)務表現(xiàn)不難看出，在新能源市場的帶動下，功率半導體需求持續(xù)高漲。此外，工業(yè)驅動和家電等應用市場也是持續(xù)向好。

　　2021年，英飛凌為電機驅動應用建立了IGBT7全系列產(chǎn)品。Easy B和Econo封裝也已經(jīng)拓展到中功率EconoDUAL™3和62mm，EconoDUAL™3最大電流做到了900A，比IGBT4 600A 1200V增加了50%。

　　IGBT7是繼IGBT4上市后一個重要的產(chǎn)品，它采用微溝槽技術，損耗比IGBT4低，而且允許過載時的工作結溫達175度，這樣定義產(chǎn)品符合應用實際需求。IGBT7的高功率密度使應用系統(tǒng)的功率密度也大幅提高。譬如匯川技術采用IGBT7的伺服驅動SV660 1kW，比采用IGBT4的上一代產(chǎn)品IS620體積減小39%。

　　電機驅動是功率半導體的重要應用，英飛凌的電機驅動方案覆蓋幾十瓦到幾十兆瓦的各類應用。功率半導體產(chǎn)品包括IGBT、SiC MOSFET，采用IGBT、MOSFET和SiC的IPM和高壓大電流晶閘管以及電機驅動芯片iMOTION™。應用領域包括大小家電、低壓中壓變頻器、伺服驅動器、機車牽引、風力發(fā)電等。

　　英飛凌可以為電機驅動提供完整的電機驅動解決方案，不局限于功率半導體。開發(fā)的22kW通用變頻器的參考設計，采用了英飛凌最新的EasyPIM™3B封裝的IGBT模塊FP100R12W3T7_B11、電流傳感器TLI4971-A120T5、柵極驅動器1ED3131MC12H、1.7kV SiC-MOSFET IMBF170R1K0M1以及微控制器XMC4800-F144F2048和XMC4300-F100K256，參考設計使得客戶能夠在一個系統(tǒng)中評估這些產(chǎn)品。

22kW通用變頻器的參考設計

EasyPIM™3B封裝的IGBT模塊FP100R12W3T7_B11

　　半導體是技術含量非常高的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品，需要在技術上不斷創(chuàng)新才能保證市場競爭力，英飛凌一直引領功率半導體的芯片技術，不斷提高能效，提高功率密度。英飛凌也是功率模塊封裝技術的創(chuàng)新者，開發(fā)的封裝形式紛紛成為工業(yè)標準。

　　英飛凌是100億歐元體量的半導體公司，產(chǎn)能也是其核心競爭力之一。英飛凌不斷投資擴大產(chǎn)能以滿足市場需要。2021年9月，位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領域同類中最大規(guī)模的項目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導體器件工廠之一。同時，英飛凌無錫工廠正在擴充IGBT和功率半導體的產(chǎn)線。擴產(chǎn)完成后，將成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)中心之一。

　　了解客戶需求，是英飛凌產(chǎn)品開發(fā)的重要輸入。電力電子技術和應用發(fā)展很快，中國客戶有不少創(chuàng)新的技術和應用需要創(chuàng)新的功率半導體產(chǎn)品來實現(xiàn)，英飛凌與客戶合作，為客戶、為應用市場一起定義產(chǎn)品，使得客戶的產(chǎn)品更有競爭力，促進電力電子應用的發(fā)展。

　　英飛凌擁有完整豐富的產(chǎn)品系列，工業(yè)驅動器領域，可以提供整體半導體解決方案。功率半導體IGBT模塊是最常見的解決方案，CoolSiC™MOSFET是針對高度集成驅動器的最佳解決方案。通過使用碳化硅MOSFET技術，開關和導通損耗被最小化，這使被動冷卻成為可能。對于苛刻的環(huán)境，如鋼鐵行業(yè)，英飛凌的高級H2S保護技術為保護半導體免受腐蝕性氣體損壞提供了一個可靠的解決方案。

　　英飛凌專注于那些與人們的生活密切相關、與當前的市場需求密切相關的應用，以及長期發(fā)展所必需的領域，以改善人們的生活、推動社會發(fā)展、助力實現(xiàn)氣候目標。

　　電氣化和數(shù)字化是塑造未來十年的時代大趨勢，這條主線一直推動著英飛凌不斷前行。起初，英飛凌專注于提升電氣領域的能效，這一舉措已經(jīng)為減碳降耗做出了貢獻。現(xiàn)在，英飛凌更多地關注整個電力全產(chǎn)業(yè)鏈；與此同時，利用英飛凌創(chuàng)新的半導體科技推動數(shù)字化進行，以減少資源的消耗。

　　英飛凌以這兩大趨勢為目標來統(tǒng)籌和規(guī)劃業(yè)務。作為一家半導體公司，英飛凌的愿景是實現(xiàn)數(shù)字和現(xiàn)實世界的連接，讓人們的生活更便利、更安全、更環(huán)保。未來英飛凌將持續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化，重點在未來出行、物聯(lián)網(wǎng)、能源效率三個方向進行業(yè)務布局。

　　在碳達峰、碳中和的大趨勢之下，英飛凌希望通過持續(xù)的材料、技術與應用創(chuàng)新，為智能汽車、智能樓宇、智能樓宇、智能工廠、數(shù)字基礎設施等豐富的應用場景提供低碳互聯(lián)的系統(tǒng)級解決方案。2022年，英飛凌將繼續(xù)聚焦電氣化和數(shù)字化，鑒于節(jié)能、互聯(lián)的世界對半導體的需求持續(xù)高速增長，英飛凌將保持強勁增長。同時，英飛凌正顯著加大投資力度，抓住增長機會，包括持續(xù)擴大硅以及碳化硅和氮化鎵化合物半導體的產(chǎn)能等。

　　從2001年英飛凌推出全球第一顆SiC二極管開始，距今已有20周年。英飛凌一個以技術創(chuàng)新為頂層價值觀的公司，這會倒逼公司去擁抱新的材料、新的技術。SiC畢竟是新材料，所以從材料、供應鏈到應用的成熟性需要一個過程，時機是很重要的，而英飛凌在產(chǎn)品的技術研發(fā)方面是比較慎重的，對產(chǎn)品質(zhì)量管控比較嚴格，為了向用戶提供品質(zhì)、可靠性更好的SiC產(chǎn)品，英飛凌花了30年時間不斷進行技術打磨和沉淀。

　　可以用“立足長遠、厚積薄發(fā)”來形容英飛凌在SiC領域的發(fā)展歷程。在過去20年中，英飛凌實現(xiàn)了非常多的SiC技術創(chuàng)新。英飛凌在全球已經(jīng)擁有超過3000家SiC的活躍用戶，發(fā)布了200款CoolSiC產(chǎn)品，其中有50%以上產(chǎn)品源自于客戶定制。

　　接下來，英飛凌在SiC領域的發(fā)展還將繼續(xù)“提速”。隨著SiC整個供應鏈的不斷成熟，以及英飛凌SiC器件在量產(chǎn)上經(jīng)驗的充分積累，英飛凌內(nèi)部已經(jīng)成立了專門的SiC加速項目，推動研發(fā)項目的加速和營收增長，無論是新品發(fā)布還是市場覆蓋，英飛凌在市場端會變得越來越活躍。