貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應用提供更好的支持

　　2022年6月9日–提供超豐富半導體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入(NPI)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo®收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅(SiC)FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。

　　貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。

　　UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅(qū)動電壓安全驅(qū)動，從而在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結(jié)器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內(nèi)置ESD柵極保護箝位。