宏微公司兩高壓大電流芯片達世界先進水平

    宏微公司具有自主知識產權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT-IGBT）芯片系列產品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管（FRED）芯片系列產品”項目近期在常州通過了眾多專家的鑒定。

    本次鑒定會的專家分別來自中國電器工業協會電力電子分會、國家電力電子產品質量監督檢驗中心、中科院半導體所、清華大學、浙江大學、電子科技大學、北京工業大學和西安工程大學等部門。部分重點用戶代表也參加了本次鑒定會。與會專家一致認為：“75A-100A/1200V-1700V NPT-IGBT芯片”達到國際同類產品的先進水平，其中1200V產品的部分主要性能指標超過國際同類產品的先進水平；“2A-200A/200V-1200V超快軟恢復外延型二極管芯片”性能指標達到國際同類產品的先進水平。產品已經實現規模化生產，市場反映良好，已經批量替代進口產品。

    具有國際先進水平的國產宏微系列非穿透型高壓大電流電力半導體NPT-IGBT和FRED芯片的研制成功，將我國IGBT和FRED的研發和生產水平提高到了一個新的高度，是我國在IGBT 和FRED芯片產業化方面邁出的重要一步。產品可廣泛應用于國防、民用工業，醫學、交通及新能源、智能電網等領域。大大減少了我國電力電子系統與裝置對國外產品的依賴性。減少系統與裝置的成本，增加產品在國內外市場的競爭性。有助于綠色節能的電力電子產品在我國不同行業、不同區域的推廣應用。有助于推動我國傳統產業的更新換代和減少工業污染，提高電能和其它資源的使用效率。<