三菱電機將亮相PCIM亞洲展 合肥工廠已正式投產

    三菱電機將于6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012（展位號：301）中盛裝亮相，向參觀者展示其新MPD系列IGBT模塊、汽車用的J系EV-IPM和EV T-PM模塊、工業和變頻家電用的DIPIPMTM（雙列直插式智能功率模塊）等，旨在向中國市場提供更低功耗、更低成本和更高穩定性的產品和技術。

    新MPD系列IGBT模塊

    新MPD系列IGBT模塊外型緊湊，采用新型無焊接AI基板，提供更高的溫度循環能力。針對大電流專用的內部結構采用專門的封裝，內部封裝電感低。采用低損耗的CSTBTTM硅片技術制成的第6代IGBT模塊，享有更寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性，并擁有最佳的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能。新MPD適合于大電機驅動、分散式電力發電及大功率UPS等場合。

    該系列模塊分1200V及1700V兩種額定電壓，其中CM2500DY-24S的額定電流高達2500A。其硅片最高結溫可達175℃，硅片運行溫度最高可達150℃。為了提高散熱效率，新MPD專為水冷散熱系統設計，從而提高產品的性能。其多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接， 交流和直流主端子分離，便于直流母排連接。

    汽車用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM

    J系列EV-IPM采用第5代LPT-CSTBTTM硅片技術，模塊內硅片上集成電流和溫度傳感器，雜散電感低。目前該產品的電流電壓等級有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

J系列EV-IPM

    J系列EVT-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技術，模塊內硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內部構造采用DLB構造，成功將主端子延長，使之直接與功率半導體硅片焊接，提高了模塊的可靠性。此外，模塊采用2合1壓注膜封裝技術，使得模塊內的配線電阻和電感得到減小，從而降低了模塊的損耗。目前該系列產品的電流電壓等級有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。

    合肥功率半導體工廠已正式投產

    三菱電機日前還宣布，公司與美國捷敏電子有限公司合作在合肥興建的功率半導體生產工廠已經于今年一月投產，此舉可將在中國生產的功率半導體數量逐年提升，至2015年時增加一倍，以應對越來越大的功率半導體市場。

    目前，三菱電機的功率半導體部門共經營六家主要制造工廠，其中三個在日本，另外三個分別在中國、美國及匈牙利。目前，在中國生產的功率半導體已占總產量的20%，三菱電機希望在2015年時，能上升至30%。

    三菱電機選擇在中國合肥設立生產工廠，不單表示三菱電機看好中國市場的發展前景，也顯示三菱電機對中國市場投入的決心。<