當(dāng)前半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展目標(biāo)是徹底解決“兩高一低”的技術(shù)問題,即高能效、高質(zhì)量(含光色質(zhì)量和可靠性)、低成本的技術(shù)。只有很好地解決這些技術(shù)問題,才能為人們提供節(jié)能、環(huán)保、健康、舒適的照明環(huán)境。解決"兩高一低"的技術(shù)問題,應(yīng)從產(chǎn)業(yè)鏈的主要部分,即襯底、外延、芯片、封裝和應(yīng)用等方面提出解決方案。
襯底、外延、芯片技術(shù)不斷突破
全球外延、芯片企業(yè)有142家,我國投產(chǎn)36家,籌建25家。全球現(xiàn)有MOCVD約2800臺,我國有700多臺,投產(chǎn)400臺左右。2011年全球芯片產(chǎn)量820億只,2012年預(yù)計(jì)將達(dá)950億只,芯片產(chǎn)能過剩35%。目前,白光的實(shí)驗(yàn)室光效可達(dá)254 lm/W,產(chǎn)業(yè)化為140~150 lm/W,最近Cree推出了160lm/W的產(chǎn)品。同時(shí),藍(lán)光光效達(dá)到300lm/W,紅光光效達(dá)240 lm/W,綠光光效達(dá)160lm/W。
圖形化襯底(定向、納米)和半極性、非極性襯底方面,通過改進(jìn)工藝、簡化流程、節(jié)省原料、降低成本等取得了很好的成果;同質(zhì)外延方面,可采用多種方法生產(chǎn)GaN襯底,并在GaN襯底上生長GaN的LED,極大減少了MO源和高純氣體用量,有人預(yù)測可降低成本50%。
在8英寸的Si襯底上生長GaN,全球有多家公司已投入研發(fā),由于可用現(xiàn)有多余的生產(chǎn)設(shè)備、簡化工藝流程,將大幅度降低成本。同時(shí),Aixtron推出以Si為襯底的外延爐,可嚴(yán)格控制彎曲度,均勻一致生產(chǎn)。這無疑將推動在8英寸的Si襯底上生長外延的進(jìn)程,并可大幅度降低成本。
在芯片結(jié)構(gòu)方面,已出現(xiàn)多種新結(jié)構(gòu),較典型的是六面體發(fā)光芯片,并采用多面表面粗化技術(shù),減少界面反射,提高光萃取率,從而提高外量子效率。三星公司采用納米級的六角棱錐結(jié)構(gòu)技術(shù)做出的LED,可實(shí)現(xiàn)半極性、非極性生長GaN,散熱好、晶體質(zhì)量好,實(shí)現(xiàn)了多色光的白光LED,取得突破性進(jìn)展。
據(jù)有關(guān)報(bào)道,綜合來看,許多外延、芯片的重大技術(shù)創(chuàng)新,大部分是針對提高性能和降低成本的關(guān)鍵技術(shù)問題,所以有機(jī)構(gòu)專家分析預(yù)測,未來10年外延成本將以每年25%的速率降低。
綜上,由于GaN外延、芯片技術(shù)的不斷突破,采用不同襯底、新結(jié)構(gòu)和納米級技術(shù)等,可生長低位錯(cuò)的GaN,并做出高光效LED。在沒有波長轉(zhuǎn)換時(shí),其光效可超過300lm/W(理論值可達(dá)400lm/W);采用熒光粉波長轉(zhuǎn)換時(shí),光效可超過200lm/W(理論值可達(dá)263lm/W),還可開拓單芯片發(fā)多色的新技術(shù)路線。同時(shí),采用新技術(shù)和大圓片技術(shù)生長外延,可大幅度降低外延、芯片的制作成本。
模塊化標(biāo)準(zhǔn)封裝成發(fā)展方向
我國LED封裝技術(shù)近幾年取得很大進(jìn)展,總體封裝水平與國外相差很小,甚至相當(dāng),但關(guān)鍵封裝材料還要進(jìn)口。2011年,全球封裝器件產(chǎn)值為125億美元,增長率為9.8%,另有報(bào)道產(chǎn)值為112億美元和137.8億美元,但是由于這些機(jī)構(gòu)對中國封裝產(chǎn)業(yè)估算不足(小于10億美元),所以全球封裝產(chǎn)值實(shí)際應(yīng)該是160億美元左右。世界排名前十的封裝企業(yè)為日亞、三星、歐司朗、LG、首爾半導(dǎo)體、科銳、飛利浦、夏普、豐田合成、億光等,占全球市場68%。我國封裝器件產(chǎn)值約250億元,產(chǎn)值在1億元以上的企業(yè)超過40家,器件光效為120~130lm/W,采用進(jìn)口芯片,可達(dá)140~150lm/W。
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來源:互聯(lián)網(wǎng)
http:m.mangadaku.com/news/37816.htm

