2015年后SiC器件有望大規(guī)模商用 UPS成最大應(yīng)用市場(chǎng)

    分析人士認(rèn)為，隨著產(chǎn)品價(jià)格降低，SiC器件市場(chǎng)有望在2015年發(fā)力成長(zhǎng)。

    盡管SiC功率器件不斷被開發(fā)并推向市場(chǎng)，然而到目前為止其市場(chǎng)規(guī)模并不大，應(yīng)用范圍并不廣。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IMS Research的數(shù)據(jù)，2012年全球SiC功率器件市場(chǎng)只有1億美元左右，且大部分的應(yīng)用集中于電源供應(yīng)器上。

    對(duì)此，飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁藍(lán)建銅指出：“SiC應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展緩慢的主要原因是價(jià)格過高。目前，SiC功率器件的價(jià)格比Si器件貴10倍以上。造成價(jià)格高企的主要原因是SiC器件的制造工藝復(fù)雜，產(chǎn)能上不去，良品率低。目前SiC芯片基本是在4英寸晶圓上生產(chǎn)，一片4英寸晶圓只能切幾十顆裸片。”

    因此，只有擴(kuò)大產(chǎn)量，解決良品率問題，使產(chǎn)品銷售價(jià)格降低，才有望啟動(dòng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求。而根據(jù)藍(lán)建銅的預(yù)測(cè)，市場(chǎng)真正發(fā)力的時(shí)點(diǎn)大約是在2015年。“預(yù)計(jì)制造工藝在未來2～3年內(nèi)會(huì)有大幅改進(jìn)，提高良品率，降低產(chǎn)品價(jià)格。此外，2～3年后SiC器件有可能過渡到6英寸晶圓上生產(chǎn)，未來更可能過渡到8英寸晶圓。”在此情況下，預(yù)計(jì)2015年SiC功率器件的價(jià)格有望下降到2012年價(jià)格的一半左右，從而有望大幅提高其在市場(chǎng)上的應(yīng)用比率。

    IMS Research的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)也印證了這一點(diǎn)，2015年預(yù)計(jì)整體SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望接近5億美元，2020年將超過20億美元，提高20倍。其中，增長(zhǎng)最快的應(yīng)用市場(chǎng)可能是UPS與電動(dòng)汽車，工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、PV逆變器次之。<