根據DIGITIMES最新統計結果，去除2家IC設計業者，2012年全球前10大半導體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、臺積電、德州儀器(Texas Instruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半導體。觀察2012~2013年主要半導體大廠資本支出變化，英特爾與臺積電均將較2012年增加，三星電子、東芝可望持平，SK海力士將較2012年減少，至于采輕晶圓廠策略的瑞薩電子、德州儀器及意法半導體2013年仍將維持在低資本支出水位。
2013年英特爾資本支出將較2012年增加18.2%，達130億美元，除持續提升22納米制程占產能比重外，亦將投入18寸晶圓與14、10、7、5納米等更先進制程研發，以生產效能更佳的處理器。
三星電子半導體事業資本支出自2009年僅32億美元持續增加至2012年123億美元，已連續3年成長，然2013年預估將小幅減少至120億美元，其存儲器事業投資重點包括持續提升DRAM 28納米制程占產能比重、續建大陸西安NAND Flash新廠，及推動NAND Flash朝21、16納米制程邁進，而系統IC事業則將以擴充德州奧斯丁廠產能，及重啟韓國華城廠第17產線興建計畫為主。
2013年臺積電資本支出將自2012年83億美元增加至95億~100億美元，主要將用于布建28、20及16納米制程產能。日廠東芝2013年資本支出可望持平在20億美元，主要將用于投入NAND Flash 1y納米制程研發。
SK海力士資本支出自2009年僅8億美元持續增加至2012年35億美元，呈現連續3年成長態勢，然2013年預計將減少至26億美元。2013年SK海力 士不僅將推動其DRAM自35納米升級至28納米制程，NAND Flash自27納米升級21納米制程，更計劃于其晶圓代工產線切入更高階芯片生產。
另外，韓廠三星與SK海力士雖2013年半導體事業資本支出均將較2012年減少，主要用于先進制程產能的布建，但對于透過購并公司以布局半導體相關技術的態度將更加積極，此透露出韓國半導體廠商漸不局限于僅投資在設備或廠房，更重視半導體元件技術布局的完整性。<
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