UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

　　中國北京-2022年5月17日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適用于主流的800V總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。

　　UnitedSiC/Qorvo功率器件總工程師Anup Bhalla表示：“我們通過更高性能的第四代器件擴(kuò)充了1200V產(chǎn)品系列，為工程師將總線設(shè)計(jì)電壓提高到800V提供了有力支持。在電動(dòng)汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）等級(jí)，有助于設(shè)計(jì)師為每項(xiàng)設(shè)計(jì)選擇合適的SiC器件。”

　　以下SiC FET出色的品質(zhì)因數(shù)展現(xiàn)了全新UF4C/SC系列的性能優(yōu)勢(shì)：

　　所有RDS(on)選項(xiàng)（23、30、53和70毫歐）都采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的4引腳開爾文源極TO-247封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關(guān)。53和70毫歐的器件也可采用TO-247三引腳封裝。該系列器件采用先進(jìn)的銀燒結(jié)芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過良好的熱性能管理實(shí)現(xiàn)了出色的可靠性。

　　此外，F(xiàn)ET-Jet Calculator™免費(fèi)在線設(shè)計(jì)工具支持所有1200V SiC FET；可以即時(shí)評(píng)估在各種AC/DC和隔離式/非隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中所用器件的效率、組件損耗和結(jié)溫上升指標(biāo)。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個(gè)和并聯(lián)器件，以獲取優(yōu)化解決方案。

　　全新1200V第四代SiC FET售價(jià)（1000件起，美國離岸價(jià)）為5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通過授權(quán)經(jīng)銷商銷售。

　　Qorvo的碳化硅和電源管理產(chǎn)品面向工業(yè)、商業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的充電、驅(qū)動(dòng)和控制應(yīng)用。