【2022年8月1日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。臺達成功開發(fā)出了雙向逆變器，即一個由太陽能發(fā)電、儲能和電動汽車（EV）充電組成的三合一混合系統(tǒng)，它能夠?qū)㈦妱悠囎鳛榧彝?yīng)急備用電源。
這款雙向逆變器可用于為電動汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊和采用D²PAK-7L，7引腳封裝的1200 V CoolSiC MOSFET（一種表面貼裝器件）。它將三個應(yīng)用整合在一起，在一個尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實現(xiàn)了三合一系統(tǒng)的設(shè)計，具有重要的里程碑意義。該系統(tǒng)的輸出功率約為10 kW，允許通過的最大連續(xù)電流為34 A，峰值效率可以超過97.5%。
CoolSiC MOSFET Easy 1B
臺達光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步。”
英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“該項目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑，我們十分榮幸能夠成為該項目的重要參與者。我們期待著臺達能夠與英飛凌長期合作。英飛凌的功率半導(dǎo)體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用，對此我們深感自豪。”
創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括：帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供超高的設(shè)計靈活性和高電流密度。同時，該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù)，與CoolSiC MOSFET配合使用，實現(xiàn)了低電感設(shè)計以及極小的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。它支持客戶實現(xiàn)高開關(guān)頻率設(shè)計，可以讓系統(tǒng)設(shè)計得更加小巧。EasyPACK模塊能夠幫助客戶縮短新產(chǎn)品開發(fā)時間，降低總體成本。
該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導(dǎo)體器件，其中包括采用了CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件，以及采用D²PAK-7L，7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC MOSFET（IMBG120R350M1H）。后者采用.XT互連技術(shù)，具有與同類產(chǎn)品相比更加出色的熱性能，并且采用了開爾文源極概念。這些功率器件憑借其優(yōu)勢確保了極低的開關(guān)損耗，提高了系統(tǒng)效率。
CoolSiC MOSFET D2PAK 7-pin
SiC MOSFET提供3µs的短路能力，并且MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準(zhǔn)柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備強大的抗寄生導(dǎo)通能力，可在0 V關(guān)斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝,這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。
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