為增強型GaN功率晶體管匹配門極驅(qū)動器
上傳時間：2019/11/7 11:01:20
摘要：氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風險。
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀1370次
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