芯片并聯(lián)的分析
從經(jīng)典的最壞情況到統(tǒng)計(jì)方法
作者：Dr. Uwe Scheuermann 上傳時(shí)間：2009/4/23 14:46:11
摘要：經(jīng)過調(diào)查分析，介紹了芯片并聯(lián)對(duì)IGBT模塊性能參數(shù)的影響，重點(diǎn)介紹了續(xù)流二極管正向壓降對(duì)并聯(lián)模塊電流分布的影響。通過應(yīng)用統(tǒng)計(jì)方法，可以定義更切合實(shí)際的降額因子。
敘詞：芯片并聯(lián) IGBT模塊 續(xù)流二極管 降額因子
Abstract：The article, after investigation and analysis, introduces the influence of chip parallel towards the parameters of IGBT module, and lays emphasis on the influence of FWD (fly-wheel diode) forward voltage drop toward parallel module current. By applying statistics means, more practical derating factor can be defined.
Keyword：Chip parallel, IGBT Module, FWD, Derating factor
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀2366次
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