中國北京-2022年5月17日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適用于主流的800V總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。
UnitedSiC/Qorvo功率器件總工程師Anup Bhalla表示：“我們通過更高性能的第四代器件擴充了1200V產品系列，為工程師將總線設計電壓提高到800V提供了有力支持。在電動汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的RDS(on)（漏源導通電阻）等級，有助于設計師為每項設計選擇合適的SiC器件。”
以下SiC FET出色的品質因數展現了全新UF4C/SC系列的性能優勢：
所有RDS(on)選項（23、30、53和70毫歐）都采用行業標準的4引腳開爾文源極TO-247封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關。53和70毫歐的器件也可采用TO-247三引腳封裝。該系列器件采用先進的銀燒結芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過良好的熱性能管理實現了出色的可靠性。
此外，FET-Jet Calculator™免費在線設計工具支持所有1200V SiC FET；可以即時評估在各種AC/DC和隔離式/非隔離DC/DC轉換器拓撲結構中所用器件的效率、組件損耗和結溫上升指標。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個和并聯器件，以獲取優化解決方案。
全新1200V第四代SiC FET售價（1000件起，美國離岸價）為5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通過授權經銷商銷售。
Qorvo的碳化硅和電源管理產品面向工業、商業和消費電子領域的充電、驅動和控制應用。