國際整流器公司(International Rectifier，IR)推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統(tǒng)等多種運行環(huán)境的隔離式DC-DC轉換器。新型DirectFET器件采用IR先進的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET硅，額定電流可達35A，其散熱表現(xiàn)更加卓越且效率更高，而占板面積則只相當于扁平型SO-8封裝。
IR亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關鍵參數(shù)，將傳導、開關及反向恢復損耗降至最低。這些改進不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時也保持了單個MOSFET的小巧體積。由于電路板的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個DirectFET MOSFET可替代2-3個SO-8封裝器件�！�
該器件的典型10V RDS(on)非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉換器的原邊MOSFET。IRF6643TRPbF采用中級尺寸(MZ)DirectFET封裝。
IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優(yōu)勢，并已獲得專利保護。其金屬罐構造可提供雙面冷卻功能，將用于驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的器件均符合電子產品有害物質管制規(guī)定(RoHS)。
IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET現(xiàn)已開始供貨。
IR亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關鍵參數(shù)，將傳導、開關及反向恢復損耗降至最低。這些改進不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時也保持了單個MOSFET的小巧體積。由于電路板的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個DirectFET MOSFET可替代2-3個SO-8封裝器件�！�
該器件的典型10V RDS(on)非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉換器的原邊MOSFET。IRF6643TRPbF采用中級尺寸(MZ)DirectFET封裝。
IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設計優(yōu)勢，并已獲得專利保護。其金屬罐構造可提供雙面冷卻功能，將用于驅動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的器件均符合電子產品有害物質管制規(guī)定(RoHS)。
IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET現(xiàn)已開始供貨。
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本文鏈接：IR推出采用新一代HEXFET功率MO
http:m.mangadaku.com/news/2007-1/200715101921.html
http:m.mangadaku.com/news/2007-1/200715101921.html
文章標簽： IR/IRF6643PbF
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